在现代化的信息技术环境下，大部分院校都有了联网的条件。然而，IC平台却不支持在线升级，导致院校无法及时获得最新的功能和资源。只有在使用IC平台的过程中出现了一些技术问题并联系售后人员时，才能获知该问题已通过版本更新进行了优化。
自2023年7月1日起，Innomotics将作为一家法律上独立的公司在德国运营，总部设在纽伦堡。在德国相关业务的分拆将于同日生效。公司管理小组成员包括首席执行官Michael Reichle（CEO）、首席财务官Christoph Salentin（CFO）和首席技术官Hermann Kleinod（CTO）。
WiFi通信作为目前通信速率最快且通信成本最低的通信方式，其用量广泛且应 用场景多样。根据TSR统计，WiFi芯片2020年受到疫情影响，出货量略有下滑，预 计出货量约为32.9亿颗，2021年后重归成长。
根据IDC预测，2025年中国AI市场规模有望达到184.3亿美元（约1200亿人民币）。其中，关于基础数据部分，预计中国AI基础数据服务市场规模近5年来的复合年增长率达到47%，预期2025年将突破120亿元，达到中国AI市场支出总额的约10%。
2022年行业冷静了许多，许多公司开始把生存与发展的问题作为重中之重，价格战助推了行业发展但同时也给行业留下不可磨灭的影响，整个行业的口碑并不友好，这都与参与价格战且无法给客户交付的企业脱不了干系。
昂瑞微电子在技术和产品方面拥有多元化的特点：昂瑞微电子不仅拥有自主研发的射频前端2G/3G/4G/5G PA的关键技术，也开发出业界领先的5G开关、Tuner开关、LNA（bank）及全集成模组（PAMiD）等产品。
为打破美日厂商对中高端滤波器的垄断，新声主要瞄准中高端的发射端和双工器市场，采用BAW、TCSAW等高难度、高技术壁垒工艺。“从产品上看，新声慢慢的变成了国内滤波器龙头，因为我们是国内少有的同时拥有自主知识产权的BAW、SAW和TCSAW量产产品的公司。”新声半导体创始人、CTO唐供宾博士提到。
Prism AI专为汽车感知系统研发人员而设计，提供七种物体检测类别、可见光和红外热成像融合、高级热图像处理功能、新的阴影模式记录功能、批量数据摄取等。这些功能共同简化了汽车红外热成像传感器的集成，提供卓越的行人、动物和车辆检测，尤其是在夜间和能见度低的情况下。
凭借在AR/VR及核心光学领域的深厚积累，耐德佳与光屿高维优势互补，联合开拓和挖掘多光谱头戴显示市场潜力及需求，未来共同开展市场推广及销售，一起为双方创造更大的商业经济价值，共同探索多行业全栈AR解决方案，为工业、医疗、安防等行业构建数字化生态助力。
霆科生物基于创始人叶嘉明博士近20年的产学研经验积累，搭建起了国内一流的从理论到芯片设计、加工到量产的全链条微流控技术平台。公司很好地把握住了市场需求，以其D端（研发设计端）技术优势快速切入到微流控CDMO领域
此前，美格智能副总经理郭强华对电子发烧友记者表示，美格基于高通芯片平台，推进了一系列智能模组和解决方案。2014年开发了只有0.2Tops的算力模组，应用在汽车上做人脸监测，ADAS+DMS的疲劳驾驶预警监测。
其中，最具代表性的是用于Wi-Fi 6E/7的6 GHz宽带高抑制滤波器，该频带带宽达到了惊人的1.2 GHz（5.9-7.1 GHz），同时对相距只有100 MHz的邻带（5.1-5.8 GHz）要实现超过40 dB的宽带高抑制
谷德科技总经理徐超接受南都湾财社记者正常采访时表示，对于智能传感器产业来说，国内长三角区域发展比较早，而深圳当前十分重视并大力推动智能传感器产业集群的发展。深圳如果能引领和主导行业标准的制定，将对该产业集群的高水平发展起到重要作用。
在通过国家数据局整合当前分散的数据管理工作后，要推进数据要素的市场化建设，就需要同步加强数字基础设施建设。而数字基本的建设涉及广泛，包括通用数据中心、超算中心、智能计算中心、边缘数据中心、人工智能、物联网、区块链以及网络传输等方面。
这就引出了一系列痛点，比如既要从CPU执行周期中将I/O解放出来，又要保证架构的稳定性。提供虚拟机加速的同时，又能帮助开发者从已有软件栈中迁移到新的方案上，还要考虑到当下新的内存互联方案
具体来看，在AI框架方面，OpenAI能够推出能力如此强大的ChatGPT，它应该有自己专门的框架。现在各种商用的框架，包括国产的飞桨paddlepaddle，以及Tensorflow或者Pytorch,其实更多是用于常规模型
首先是芯片上的互联接口，也就是Die to Die类型的互联接口IP，包括UCIe等，用以扩充单芯片的计算能力；其次是Chip to Chip类型的互联接口IP，包括SerDes/PCIe/CXL等，能够加快芯片之间的互联和数据交换
据“中科院微电子研究所”消息，为了更好地解决SOT-MRAM的刻蚀技术难题以实现SOT-MTJ的高密度片上集成，同时研究不同的刻蚀工艺对器件磁电特性的影响，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组开发了一种基于垂直磁各向异性SOT-MTJ的刻蚀“停MgO”工艺（SOMP-MTJ）
借助 GaN，智能手机制造商可以制造外壳尺寸更小且性价比更高的充电器。尽管基于 GaN 的器件的单价比硅贵，但更高的频率和更高的功率密度值导致每瓦美元更低。比较三星的硅基和 GaN 基充电器有助于证明这一点：三星的 45W Si 快速充电器的功率密度为 0.55W/cm³；而其 45W 基于 GaN 的充电器拥有 0.76w/cm³的功率密度，占地面积缩小了近 30%。
